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アンバランスドマグネトロン（UBM）スパッタリング法により形成した窒素濃度10.9at%未満の窒素ドープナノカーボン膜電極を検討した。窒素ドープ UBM スパッタリング ナノカーボン膜 (N-UBM 膜) 中の sp(3) 含有量は、窒素濃度の増加とともにわずかに増加します。窒素濃度が増加すると、窒素を含むグラファイトのような結合が減少し、ピリジンのような結合が増加します。N-UBM膜の表面は平均粗さが0.1～0.3nmと非常に平滑であり、窒素濃度にほとんど依存しません。N-UBM 膜電極は、sp(3) 含有量がわずかに増加しているため、純粋な UBM 膜電極 (3.9 V) よりも広い電位窓 (4.1 V) を示します。電極触媒活性は窒素濃度の増加とともに増加し、窒素濃度が約 10.9 at% のときに電気活性が最大になることを示唆しており、これは Fe(CN)6(4-) のピーク分離によって確認されます。N-UBM 膜電極における過酸化水素 (H2O2) の還元電位は約 0.1 V シフトし、H2O2 のピーク電流は約 4 倍に増加しました。